10月15日，以“Everest巅峰之上·跨越四年的技术长征”为主题的长飞先进技术发布会在深圳召开。会上，长飞先进面向车规主驱市场正式发布了自主研发的高性能SiC　MOSFET系列芯片及DeepXE™嵌入式PCB功率模块，并针对AI数据中心领域发布了其基于成熟量产芯片PG4E的单管系列及EZ2C/3C特色模块家族，用先进的碳化硅技术重新定义能源效率边界。

　　长飞先进总裁陈重国表示，“近期来看，新能源汽车的爆发是核心推动力，可能三到五年之后，AI会成为下一个巨大的应用增长点，所以短期看汽车，长期看AI，是两大核心驱动力。”基于对产业趋势的判断，本次发布会的新品也重点围绕两大赛道落地。

　　本次重磅发布的长飞先进高性能SiC MOSFET系列芯片，正是布局汽车赛道的核心载体。该产品性能卓越，拥有丰富的产品矩阵及成本优势，能匹配更多性能要求。产品Rsp低至1.7-2.2mΩ.cm2²，主要适配700V、800V、900V高压系统，短路耐受时间SCWT&短路能量ESC达业内先进水平，同时通过了AEC-Q101标准下全套可靠性测试及强化寿命&环境试验条件3000h验证。

　　与此同时，长飞先进自主研发的DeepXE™嵌入式产品，拥有三大技术亮点：一是基于Cavity-Free AMB内嵌单元的创新PCB叠构方案；二是功率半导体芯片表面金属化与关键界面先进互联工艺；三是电热磁力多物理场约束下的芯片排布与功率路径3D构建。在先进的技术方案加持下，长飞先进DeepXE™嵌入式产品较传统封装形式，电流密度可提升20%、热阻Rth降低15%，杂散电感降低75%至0.9nH；体积和重量同时降低50%，整体开关损耗降低20%，为车规主驱客户直接提供了一套高功率密度、高性能嵌入式功率模块终端方案。

　　在AI数据中心领域，长飞先进发布的PG4E单管系列为750V及1200V的产品，与当前国内外同类产品相比，具有高可靠、低损耗的特点，性能上也更适合于AIDC这种追求极致效率的应用场景。EZ2C/3C　SiC功率模块则为国内首个采用先进的扩散焊工艺的功率模块，相较传统锡焊片工艺，EZ2C的节壳热阻可降低18%，满载时芯片节温可降低25°C以上，同时EZ家族全系采用耐高温材料体系，支持SiC　200°C以上的工作温度，可充分释放SiC的材料优势。并且，EZ3C还创新集成了高效SHB三电平拓扑，极大地降低了SST的系统复杂度，有助于SST长期不间断服役下的可靠性。

　　此外，在车规主驱及AI数据中心领域之外，长飞先进在本次技术发布会上同步推出了覆盖消费电子与工业应用的全系列产品，并重磅发布了高性能沟槽技术平台，全面展现了其在碳化硅领域的深厚积累与系统化布局。

　　“碳化硅作为化合物半导体，在高压、大电流的功率器件场景下，性能相比硅基器件优势明显。近几年碳化硅器件成本下降速度很快，对硅基器件的替代也越快。”陈重国总结道。

　　从车规主驱到AI数据中心，从工业到消费、生活家电，长飞先进正以自研功率模块、芯片及单管等全矩阵产品，持续拓宽碳化硅技术的应用边界。技术迭代不止，市场蓝海可期。在新能源汽车与AI算力爆发的双重浪潮下，长飞先进正加速驶入功率半导体的黄金赛道，以先进碳化硅技术赋能产业变革新时代。